المصدر: EETOP الحدود للمسافرين (المنتدى usrname: ICNO.1) من بلوق

العنوان: http: //www.eetop.cn/blog/ xhsir520؟

في تصميم الأجهزة، على دائرة حماية الجزء هو لضمان موثوقية جزءا هاما من النظام، ولا سيما تصميم يتضمن حماية الدائرة أيضا العديد من الجوانب، مثل: مكافحة مكافحة التصميم، حماية من التيار الزائد، الجهد الزائد، undervoltage حماية، حماية المحموم الخ، ولكن أيضا بما في ذلك بعض تصميم واجهة الحماية الكهرومغناطيسية. اليوم لفرز نقطة تصميم الدوائر ذات الصلة.

دعونا نتحدث عن الحماية ضد مدخلات الطاقة العكسية، وهذا مفيد في التطبيقات العملية، وذلك لأن المكونات السلطة مقابل الظاهرة كل من الإنتاج وتطبيق شائعة.

أولا، لدينا منتجات في الأكثر استخداما هو استخدام الصمام الثنائي في اتجاه واحد تصميم الموصلية، وهذا هو أسهل وسيلة. وكان عيوب كبيرة، وانخفاض الجهد PN تقاطع، في الحالة التي يكون فيها تيار كبير لا يمكن استخدام الكثير من السلطة.

ثانيا، استخدام الصمام الثنائي أحادي الاتجاه يمكن تنفيذ التوافق موصل الإيجابية والسلبية، وهذه الميزة هي العمل عكس كالمعتاد، ولكن فوق العيب، واثنين من الثنائيات يؤدي إلى مزيد من الجهد واستهلاك الطاقة.

ثالثا، استخدام منخفضة على المقاومة MOS الترانزستور هو طريقة التطبيق الحالي.

MOS مشكلة الأنابيب هنا هو لماذا يتم عكس DS، وليس هو نفسه كما هو الحال عندما في الاستعمال العادي. هنا لمكافحة عكس MOS الترانزستور هو في المقام الأول وظيفة الصمام الثنائي الطفيلية.

هيكل طفيلية NMOS:

ولذلك، فإن عملية العمل هو: الصمام الثنائي الطفيلية عند تشغيل القوة الأولى على بعد بدوره على أكبر الجهد من UGS، وMOS بدوره على.

إذا كان الاستخدام العادي، ونحن نرى أن الصمام الثنائي الطفيلية في التوصيل العكسي، ولم يلعب دورا وقائيا.

وبالمثل PMOS:

التحليل التالي من MOS DS الصمام الثنائي الطفيلية والقضايا الراهنة. نحن نعلم يتم تشغيل احتكار MOS الترانزستور على الجهاز، من خلال تشغيل قناة على، ينبغي القول أنه بغض النظر عن DS، في الواقع، لا يمكن أن نقول الحق.

هذا هو هيكل أشباه الموصلات NMOS، D و S هي على P من نوع الركيزة "حفر" للخروج، ثم D، وS إلى تقاطع PN بين P الركيزة هناك، لذلك يجب علينا أن نستخدم العادي إلى الركيزة قدرة منخفضة (يتم توصيل PMOS إلى إمكانية عالية) تجنب الطفيلية التوصيل PN تقاطع، وترتبط S و B معا، وهناك العكس حتى بين DS الصمام الثنائي. عندما نطبق التيار الكهربائي العادي إلى الجهد العالي D المحطة، هو أكبر من VTH تحولت UGS، لحماية الدوائر الطفيلية MOS الترانزستور في الدور العكسي لعبت مفتوحة، على أي حال، ما دام الجهد الكهربائي مناسبة لجعل طبقة قناة انعكاس تتشكل، MOS أنبوب تدفق يمكن أن تنجح. NMOS عموما أصغر من المقاومة ON من PMOS، NMOS مع أكثر من ذلك.

هناك العديد من الاختلافات، مثل حماية إضافية MOS منظم بوابة التطبيق الفعلي.

خلاصة القول: دائرة حماية بسيطة ولكنها أكثر أهمية لإتقان عدة مبادئ التصميم والأساليب لتحسين موثوقية الدائرة يمكن أن يكون نظام جيد.

أوصى - انقر هنا لقراءة النص الأصلي، يمكنك ان ترى المزيد من بلوق: