موجات تيراهيرتز يمكن استخدامها لدراسة تطور الكون والمنتجات إشعاع، عالية الدقة مجال التصوير بالرادار والاتصالات نسبة عالية بعض الشيء، هو أن يكون تطور العلم الجديد المهم والتكنولوجيا. في دراسة الكون، وموجات الراديو تردد الرئيسية من الفضاء الخارجي، وليس أكثر من 30 THz للالنطاق الترددي، تتركز الغالبية في المنطقة المجاورة للتردد من 3 THz لل. عندما يركز الناس على مساحة إشعاع الخلفية، ويتلقى أساسا تردد الموجات الكهرومغناطيسية حوالي 150 غيغاهيرتز. وهكذا فإن دراسة توزيع موجات تيراهيرتز في الفضاء، أولا وقبل كل شيء يمكن استكشاف أصل وتطور الكون، والإنسانية نفسها يمكن أن تتخذ لشرح الخلط بين . لجانب الكشف غير مدمرة، موجة تيراهيرتز منخفضة بالمقارنة مع أقرب إلى تردد الموجة الضوئية من الميكروويف بعد اختراق معين، حيث للكشف عن سمة من سمات التصوير موجة تيراهيرتز يمكن أن توفر نتائج أفضل، لرادار المستقبل وضياع منطقة التصوير من التركيز، والتي حافظت على تنمية قوية من المجلات البيئية في السنوات العشر الأخيرة من معهد المؤتمرات مهندسي الكهرباء والإلكترونيات، حصلت الشركة أيضا بذل جهود كبرى R & D على البحوث التقنية إلى . وعلى سبيل المقارنة مع صور الأشعة السينية، واستخدام تيراهيرتز التصوير في الجسم الحي دون ضرر ضرر الإشعاع المؤين الحيوية محدودة جدا، وتحت ظروف الرطوبة العالية والجسيمات في الهواء يمكن أن لا تزال نشطة. موجة تيراهيرتز لنقل عالية السرعة، ونطاق التردد للنظام تيراهيرتز هبت مع شرط الاتصالات عرض النطاق الترددي العالي، استنادا إلى إطار الاتصالات الفورية التقليدية أن معدل انتقال يمكن أن تصل إلى مئات جيجابت / ثانية . تيراهيرتز صلة لاسلكية، تيار كهربائي ضوئي من خلال مصدر الليزر، فراغ الكهربائية، والاختلاط، وغيرها من البرامج لتوفير دائرة متكاملة متجانسة ، على الإمكانات الهائلة يمكن تحويلها إلى تيراهيرتز موجة التطبيق العملي، تقديم مشكلة ملحة يجب حلها هي ضرورة للإشارة ولدت مصدر تيراهيرتز تضخيمها، والحفاظ على بعض الخصائص عرض النطاق الترددي .

وإذا اعتبر مستوى الطاقة من مصدر ظروف معروفة، المصدر الحالي يولد تيراهيرتز أساليب مختلفة وتخضع لحجم اثنين من عناصر القوة، ويمنع استخدام، لمزيد من تضخيم إشارة، فإنه يحتاج الوسائل فراغ الكهربائية، ومتكاملة كتلة واحدة خلط و . فراغ الكهربائية عن طريق السفر سرعة التكيف موجة، والقدرة على الانتاج BWO من أقوى ثلاث طرق، وتطبيق الرئيسي للنظام في حالة ارتفاع المؤشر، والعيب أن فراغ الكهربائية غالبا ما تتطلب ارتفاع الضغط وارتفاع بيئة الوضع الحالي، والاحتلال أكثر نظام المكاني، فإنه من الصعب أن ترتبط مباشرة إلى الطائرة من الدوائر، مما أدى إلى انخفاض درجة التكامل النظام، فإنه يعيق تطبيق على نطاق واسع في . ميزة مختلطة هي القدرة على دمج مجموعة متنوعة من المفاهيم تصميم وتصنيع الدوائر المتكاملة، من أجل تحقيق هذا الهدف، مثل استخدام هيكل الانتقال الدليل الموجي الذي يربط بين أنواع مختلفة من وحدات الدائرة تجميعها من مراقبة جودة المنتجات دفعة من الصعب ضمان، مما يؤثر على نطاق تطبيق السيناريو . متآلف دمج المكونات النشطة والسلبية يمكن أن تكون متكاملة على ركيزة السيليكون أو مواد مركبة من أشعة الضوء، الحفر أو ما شابه ذلك مع عملية الإنتاج، والحالي للجهاز سلطة محدودة قادرة على توفير على الرقاقة، ولكن وحدة الدائرة جود المدمجة، والإنتاج الضخم موثوق عالية، ويمكن تحقيق ذلك مع مجموعة متنوعة من وحدة متجانسة الدوائر المتكاملة من الأنظمة المعقدة وغيرها، وباعتبارها وحدة متكاملة في خطط التكامل الميكروويف الهجين. وفقا لذلك، تيراهيرتز تضخيم متجانسة تحسين الأداء، وليس فقط يمكن أن تعزز قدرة انتقال من النظام الهوائي، لنظام قد تزيد أيضا المسافة تغطية RF. كما التطبيقية الجانب تيراهيرتز الرادار، والتصوير القرار يمكن تحسين والاتصالات التطبيقية معدل مرتفع تيراهيرتز بعض الشيء، ونسبة الخطأ يمكن أن تخفض. وسائل تضخيم في واحدة متكاملة مع وحدات أخرى، يمكن أن تقلل من التكلفة والكتلة دفع السوق مستوى التكنولوجيا تيراهيرتز.

تقدم السلطة مكبر للصوت مجمع متكامل على رقاقة 1 THz لل

تصميم الدوائر المتكاملة في حاجة إلى الاعتماد على خط رقاقة معالجة، وعملية الدوائر المتكاملة التقليدية يمكن تقسيمها وفقا لالركيزة مختلفة هو III-V و IV أنواع. حيث تصميم المجموعة III-V IC قد يكون محددا سلالة عالية الإلكترون التنقل الترانزستور الغاليوم (الغاليوم) الركيزة، وارتفاع الإلكترون التنقل الترانزستور (mHEMT) عملية، فوسفيد الإنديوم (البرنامج النووي العراقي) الركيزة (HEMT) وايزو homojunction القطبين الترانزستور (HBT) عملية. عنصر المجموعة الرابعة لإنتاج الدوائر المتكاملة، ويمكن أيضا اختيار عملية الترانزستور ثنائي القطب متغاير (أ HBT)، في حين ان استخدام الصناعة الحالية المزيد من البرامج هي مكمل معدن أكسيد أشباه الموصلات تكنولوجيا CMOS.

على رقاقة على دمج عملية الدائرة في عدة، فوسفيد الإنديوم الإلكترون التنقل بسبب المعدل السريع، وتواتر قطع يمكن أن تكون أعلى. على سبيل المثال، مدفوعا نورثروب جرومان شركة ومعهد كاليفورنيا للطائرات مختبر تقنية تطويرها بشكل مشترك من الترانزستورات حركية عالية الإلكترون على أساس مكبرات الصوت فوسفيد الإنديوم أقصى تردد التشغيل من 508 غيغاهيرتز، يوفر 9 على الأقل كسب ديسيبل في 420 ~ 470 غيغاهرتز من النطاق الترددي، كما هو مبين في الشكل . منذ الترانزستور في كسب التردد المنخفض من مكبر للصوت وحدة تضخيم الداخلية المتكاملة 6، وكسب كل مرحلة لتوفير نحو 1.5 ديسيبل.

مماثلة الداخلي عالية الإلكترون التنقل الترانزستور متكاملة كتلة واحدة الشركة التي نشرت في IEEE MICROWAVE AND WIRELESS مكونات خطابات تستخدم التكوين الزوج شبه التفاضلية، في 285 ~ 345 غيغاهرتز أكبر مكسب من 20 ديسيبل، وهو انتاج الطاقة تشبع -1.5 ديسيبل . بفضل DARPA تمويل المشاريع، والشركة على الاستمرار في تحسين أداء التنقل الترانزستور عالية الإلكترون، حيث يتم تقليل طول البوابة إلى 30 نانومتر، وذلك باستخدام هيكل اتصال متحد المستوى الدليل الموجي بين تصميم 10، كما هو مبين في الشكل. التضخيم متجانسة في حدود 620 ~ 700 غيغاهرتز في الصغيرة أكبر مكاسب إشارة من 20 ديسيبل .

وبالإضافة إلى ذلك، وهي شركة أمريكية مع الطائرة تيرول نفس التكنولوجيا يقود معهد كاليفورنيا للتكنولوجيا مختبر شارك المتقدمة تيراهيرتز متجانسة، ولكن الترانزستور ثنائي القطب في متغاير رقائق تصميم القائمة، وذكرت في عام 2013 ارتفاعا تيراهيرتز التضخيم متجانسة من أكثر من 24 في 670 غيغاهرتز ديسيبل، انتاج الطاقة من 0،86 ميغاواط . وسط الصين مسار التقنية 55 طور كهربائيا تيراهيرتز الصلبة متغاير متجانسة الترانزستور ثنائي القطب باستخدام نفس، من خلال ستة كسب التضخيم واحد 300 غيغاهرتز 7.4 ديسيبل، في حين أن السلطة من البيانات المرجعية ليست بعد .

تيراهيرتز عالية القائم على سلالة الإلكترون التنقل الترانزستور مكبر للصوت متجانسة، معهد فراونهوفر في أوروبا التطبيقية فيزياء الحالة الصلبة في طليعة العالم. يتم تطبيق الداخلية على السلطة مكبر للصوت 2019 نشرت في فبراير الحالي باستخدام تعدد الوحدات وسيلة لزيادة قوة، كما هو موضح في الشكل (3)، وتردد وسط 315 غيغاهرتز، وأقصى قوة قطعة الاختبار 10 ديسيبل .

أيضا تم تطويرها باستخدام تقنية مشابهة أيضا متجانسة التضخيم النطاق العريض فراونهوفر المعهد، كما هو موضح في الشكل (4)، ورقة من الأجهزة النشطة حيث طول باب 35 نانومتر، والتي تغطي نطاق الترددات 220 غيغاهرتز ~ 320 غيغاهيرتز. ولما كان عدد من مجموع التوليف مرحلة انتاج الطاقة 2 الطريقة فقط، نهج انتاج الطاقة القصوى 5 ديسيبل .

الغاليوم والبرنامج النووي العراقي العمليتين مقارنة أنواع السلطة مكبر للصوت متجانسة، فإن البرنامج النووي العراقي أسهل من الغاليوم الدوائر المتكاملة التي تعمل على ترددات أعلى. متآلف البرنامج النووي العراقي ولكن غالبا ما تستخدم غير الاصطناعية تصميم الهندسة المعمارية تيراهيرتز مكبر للصوت، وبالتالي فإن قدرة انتاج الطاقة بالمقارنة مع الغاليوم متآلف اكتب تيراهيرتز ضعيفة. حتى الشرطة الوطنية العراقية والغاليوم تردد تيراهيرتز متجانسة والقوة على التوالي، وفقا لمزايا مختلفة.

التقدم في السلطة القائمة على السيليكون المتكاملة مكبر للصوت على رقاقة تيراهيرتز 2

تنقل الناقل من مادة السيليكون ليس كما زرنيخ الغاليوم وفوسفيد الإنديوم. ومع ذلك، والأجهزة القائمة على السيليكون ويرجع ذلك إلى دائرة كبيرة متكاملة على نطاق وتصميم جميع أنواع التطبيقات التجارية، وأنواع تقنيات التصنيع التجارية العملية الأكثر تقدما، وطول بوابة الترانزستور يمكن معالجتها، وبالتالي تحسين خصائص RF لها، ولها انتاج كميات كبيرة وموثوق بها، والمنخفضة الاتساق مزايا التكلفة، والأبحاث في العقد الأخير من تفجر الوضع.

الدوائر المتكاملة السيليكون المستندة إلى مثل متغاير القطبين تردد الترانزستور التشغيل أعلى من الدوائر المتكاملة عملية معدني متمم أكسيد أشباه الموصلات. وهكذا متغاير القطبين الترانزستور تيراهيرتز تصميم الدوائر أسهل. جامعة دريسدن للمن 130 نانومتر على التكنولوجيا SIGE HBT، التي وضعت في عام 2017 مجموعة تعديل مكبر للصوت كسب متغير بين 0 ~ 24.7 ديسيبل، كما هو موضح في الشكل (5)، وتردد وسط 190 غيغاهرتز، الناتج من ضغط ديسيبل 1 تشير -10.2 ديسيبل. وعلى الرغم من قوتها منخفضة، ولكن لديه ميزة في تصميم مجموعة .

كورنيل 130 نانومتر متغاير يستند أيضا ثنائي القطب أنبوب الترانزستور تصميم تيراهيرتز حساسة مكبرات cascode واحدة العضوية، ويمكن توفير الطاقة RF من نحو 0.52 ميغاواط، إشارة صغيرة في مدى التردد من 179 ~ 187 غيغاهرتز مكاسب أكبر من 6.5 ديسيبل، هذه التقنية توفر الترانزستور إشارة إلى تعزيز خصائص مكاسب في نطاق التردد تيراهيرتز .

مقارنة متغاير الترانزستور ثنائي القطب ومتكاملة معدن مكملة أكسيد أشباه الموصلات الدوائر وقد استخدمت على نطاق واسع في مختلف المنتجات الالكترونية الاستهلاكية، والقوة الدافعة للحد من استهلاك الطاقة، وانخفض تكميلية المعادن أكسيد أشباه الموصلات عملية تصنيع الترانزستور إلى البوابة 10 نانومتر أو أقل من ذلك. جامعة آلتو حيث الفنلندية كلية مايكرو ونانو وضعت المنضب تماما السيليكون على تردد تيراهيرتز التكنولوجيا عازل قد تجاوزت الحد الأقصى التضخيم متجانسة 320 غيغاهرتز، وتضخيم تصميم متجانسة تقريبا من أكسيد معدني متمم أشباه الموصلات تحت هذا الشرط، على حلبة السيليكون الحد العلوي تصميم . لذلك، في نطاق تيراهيرتز تصميم CMOS متجانسة التضخيم متكاملة التحدي. في دوائر الدولة الصلبة الدولي للمؤتمرات في جامعة كاليفورنيا، في محاولة لوضع نفسه في 65 نانومتر CMOS السيليكون أكسيد معدني متمم أشباه الموصلات التضخيم متكاملة متكاملة كتلة واحدة تيراهيرتز تضخيم تصميم الدوائر هو مبين في الشكل (6)، والاستخدام المقترح للبوابة حقن فقدان الطاقة تعويض مخطط ردود الفعل، وهو أعلى عرض في 251 ~ 273 غيغاهرتز 6.2 ديسيبل أعلى من كسب أقصى إخراج RF 0.41 ميغاواط .

3 الخاتمة

تلخص هذه المقالة تيراهيرتز دراسة الوضع الحالي تضخيم قطعة واحدة، والمادية مقارنة الركيزة رقاقة مختلفة، مصنوعة من السيليكون بالجملة، والسيليكون والجرمانيوم تكلفة تيراهيرتز الدائرة من فوسفيد الإنديوم وزرنيخ الغاليوم، العائد متكاملة، الاتساق والتكامل أكثر واعدة، ولكن نظرا لانخفاض جهاز التنقل الإلكترون الطبيعي، مما أدى إلى تردد رقاقة تيراهيرتز القائمة على السيليكون، والطاقة، وكفاءة وزيادة حيث مجمع الركيزة ليست مصممة رقاقة، كل اثنين من التيار ميزة تنافسية، من الصعب أن تحل محل بعضها البعض. فإنه يقارن هيكل تصميم الدوائر، على الرغم من ارتفاع فوسفيد الإنديوم رقاقة تردد التصميم، ولكن عدد قليل تم الإبلاغ قوة متكاملة تيراهيرتز مكبر للصوت، والضغط على ارتفاع الإلكترون التنقل الترانزستور الغاليوم الركيزة التي شكل الاصطناعية من مضاعفة، لديها مزايا عالية الطاقة النطاق الترددي تيراهيرتز من الجوانب ليكون واضحا في البداية. الجهاز السليكون نفسها بسبب الدائرة مكاسب الدنيا، وتصميم الدوائر لا يزال يجري معظم وظائف تنفيذها، ولكن لديه القدرة في السيطرة على الحفر ونظام التعقيد.

مراجع

العلوم تشاتوبادياي G.Terahertz والتكنولوجيا والاتصالات .Kolkata: IEEE 2012.

WOOLARD D L، BROWN E R، الفلفل M، وآخرون al.Carbon النظير، تيراهيرتز الاستشعار عن التردد والتصوير: وقت الحساب تطبيقات المستقبل؟ .Proceedings من IEEE، 2005،93 (10): 1722-1743.

APPLEBY R، اندرتون N R.Millimeter الموجة والتصوير submillimeter الموجة للأمن والمراقبة .Proceedings من IEEE، 2007،95 (8): 1683-1690.

LIU H B، H ZHON، KARPOWICZ N.Terahertz التحليل الطيفي والتصوير لطلبات الدفاع والأمن .Proceedings من IEEE، 2007،95 (8): 1514-1527.

KOWALSKI M، دراسات KASTEK M.Comparative التصوير السلبي في تيراهيرتز والمتوسطة الطول الموجي يتراوح الأشعة تحت الحمراء للكشف عن وجوه المعاملات .IEEE على معلومات الطب الشرعي والأمن، 2016،11 (9): 2028-2035.

قاو Jingkun، تسوى Zhenmao تشنغ Binbin، وآخرون al.Fast ثلاثي الأبعاد صورة إعادة بناء نظام فحص المواجهة في النظام تيراهيرتز المعاملات .IEEE على تيراهيرتز العلوم والتكنولوجيا، 2018،8 (1): 38-52.

GRAJAL J، RUBIO-CIDRE G، BADOLATO A، وآخرون al.Compact رادار الأمامية للرادار التصوير في 300 غيغاهرتز المعاملات .IEEE على تيراهيرتز العلوم والتكنولوجيا، 2017،7 (3): 268-273.

كلمات H J، NAGATSUMA T.Present ومستقبل الاتصالات تيراهيرتز المعاملات .IEEE على تيراهيرتز للعلوم والتكنولوجيا، 2011،1 (1): 256-263.

JORNET J M، AKYILDIZ I F.Channel النمذجة والقدرة على التحليل لnanonetworks اللاسلكية الكهرومغناطيسية في الفرقة تيراهيرتز المعاملات .IEEE على الاتصالات اللاسلكية، 2011،10 (10): 3211-3221.

LIN C، G LI Y.Indoor تيراهيرتز الاتصالات: كم عدد صفائف هوائي المطلوبة؟ المعاملات .IEEE على الاتصالات اللاسلكية، 2015،14 (6): 3097-3107.

TONOUCHI M.Cutting الحافة التكنولوجيا تيراهيرتز .Nature الفوتون، 2007،1 :. 97-105.

تكنولوجيا SIEGEL P H.Terahertz المعاملات .IEEE على نظرية ميكروويف وتقنيات، 2002،50 (3): 910-928.

HOSAKO I، SEKINE N، M PATRASHIN، وآخرون al.At فجر حقبة جديدة في تيراهيرتز التكنولوجيا .Proceedings من IEEE، 2007،95 (8): 1611-1623.

JONES S، KIM J Y، Y DOI، وآخرون al.Ultra النطاق العريض الانضباطي وضع مزدوج ليزر لتوليد تيراهيرتز موجة مستمرة .Journal تقنية الخفيفه، 2014،32 (20): 3461-3467.

KIRAWANICH P، S YAKURA J، ISLAM N E.Study عالية الطاقة النطاق العريض الجيل تيراهيرتز نبض باستخدام عالية السرعة مفاتيح ضوئية أشباه الموصلات المتكاملة المعاملات .IEEE على علم البلازما، 2009،37 (1): 219-228.

YARDIMCI N T، S يانغ H، BERRY C W، وآخرون al.High السلطة تيراهيرتز جيل باستخدام مساحة كبيرة بواعث ضوئية plasmonic المعاملات .IEEE على THz للعلوم والتكنولوجيا، 2015،5 (2): 223-229.

HEBLING J، K L يه، HOFFMANN M C، وآخرون al.High-توليد الطاقة THz لل، THz للغير الخطية البصريات، وTHz للغير الخطية الطيفي .IEEE مجلة مختارة Topies الكم إلكترونيات، 2008،14 (2): 345-353.

BOOSKE J H، J DOBBS R، JOYE C D، وآخرون al.Vacuum مصادر تيراهيرتز عالية الطاقة الالكترونية المعاملات .IEEE على تيراهيرتز للعلوم والتكنولوجيا، 2011،1 (1): 54-75.

JOYE C D، A COOK M، J كالام P، وآخرون al.Demonstration من قوة عالية، النطاق العريض 220 غيغاهرتز موجة من السفر مكبر للصوت ملفقة من قبل UV-LIGA المعاملات .IEEE على الكترون الأجهزة، 2014،61 (6): 1672-1678.

الجيل ديون N J.Harmonic في عرض النطاق الترددي اوكتاف أنابيب السفر الموجة المعاملات .IEEE على الكترون الأجهزة، 1970،17 (4): 365-372.

كلمات H J.Packages للإلكترونيات تيراهيرتز .Proceedings من IEEE، 2007،105 (6): 1-18.

مكبرات الصوت DEAL W R.Solid للدولة للإلكترونيات تيراهيرتز .Anaheim: IEEE 2010.

نظرة عامة SAMOSKA L A.An من الحالة الصلبة المتكاملة مكبر للصوت الدائرة في النظام submillimeter الموجة وTHZ المعاملات .IEEE على تيراهيرتز العلوم والتكنولوجيا، 2011،1 (1): 9-24.

SAMOSKA L، فونغ A، D PUKALA، وآخرون قياسات AL.ON رقاقة من مكبرات الصوت S-MMIC 400-500 غيغاهرتز .Baltimore: IEEE 2011.

HACKER J، LEE Y M، H PARK J، وآخرون al.A 325 غيغاهرتز الشرطة الوطنية العراقية المتباينة التفاضلية وضع مكبر للصوت .IEEE ميكروويف والآداب مكونات لاسلكية، 2011،21 (5): 264-266.

DEAL W R، MEI X B، K ليونغ، وآخرون al.Terahertz متجانسة الدوائر المتكاملة باستخدام البرنامج النووي العراقي عالية الإلكترون الترانزستورات التنقل المعاملات .IEEE على تيراهيرتز للعلوم والتكنولوجيا، 2011،1 (1): 25-32.

HACKER J، URTEAGA M، SEO M، وآخرون al.InP HBT MMICs مكبر للصوت تعمل على 0.67 THz لل .Seattle: IEEE 2013.

صن يان تشنغ وي والبرية والبحرية، وهلم جرا 0.300 غيغاهرتز البرنامج النووي العراقي DHBT مكبر للصوت متكاملة كتلة واحدة . الحالة الصلبة إلكترونيات البحوث والتنمية، 2017 (4): 299.

JOHN L، NEININGER P، FRIESICKE C، وآخرون al.A 280-310 غيغاهرتز InAlAs / InGaAs mHEMT السلطة مكبر للصوت MMIC مع 6،7-8،3 ديسيبل انتاج الطاقة .IEEE ميكروويف والآداب مكونات لاسلكية، 2019،29 (2): 143-145.

TESSMANN A.A النطاق العريض 220-320 غيغاهرتز المتوسطة حدة السلطة مكبر للصوت .La جولا: IEEE 2010.

STARKE P، FRITSCHE D، C CARTA، وآخرون al.A 24.7 ديسيبل مكبر للصوت منخفض الضوضاء مع زيادة متغير ومطابقة الانضباطي في 130 نانومتر SIGE في 200 غيغاهرتز .Nuremberg: IEEE 2017.

خطيبي H، KHIYABANI S، أفشاري E.A 183 غيغاهرتز المنزوعة الحساسية مكبر للصوت cascode غير متوازن مع زيادة قوة 9.5 ديسيبل و 10 جيجا هرتز عرض النطاق الترددي و-2 ديسيبل قوة التشبع .IEEE الدوائر رسائل الحالة الصلبة، 2018،1 (3): 58-61.

PARVEG D، D KARACA، VARONEN M، وآخرون al.Demonstration من مكبر للصوت 0.325-THz للCMOS .Finland: IEEE، عام 2016.

مؤمني O.A 260 غيغاهرتز مع مكبر للصوت 9.2 ديسيبل كسب و-3.9 ديسيبل المشبعة السلطة في 65 نانومتر CMOS .San فرانسيسكو: IEEE 2013.

الكاتب المعلومات:

هانجيانغ أحد 1،2، 1،2 برنامج

(1. الأكاديمية الصينية للهندسة الفيزياء من مركز أبحاث تيراهيرتز الميكروسيستم، وتشنغدو 610299.

2. معهد الصين للهندسة الالكترونية، الاكاديمية الصينية للالفيزياء الهندسية، ميانيانغ 621900)