دونغ ليانغ

(كلية الهندسة في جامعة تشيتشيهار إلكترونيات الاتصالات، وهيلونغجيانغ 161006)

أصبح متعدد الخلايا التي تسببها متاعب في حالة الإشعاع (MCUs و) من المشاكل الرئيسية التي تؤثر على موثوقية الذاكرة. تعزيز المضادة الذاكرة MCUs المزيد من الأخطاء عموما يمكن تصحيح باستخدام رموز تصحيح الخطأ (ECCS). خطأ نظام متسامح باستخدام المربعات متعامد اللاتينية (في عملية شريان الحياة) يتم تكوين إلى رمز وافر من ذاكرة تصحيح الخطأ. شريان الحياة هو نوع من التعليمات البرمجية قد تترجم كود خطوة منطق الأغلبية (OS-MLD)، يمكن استخدام بسيطة جدا دوائر المنطق الأغلبية من أجل فك رموز. من خلال تصميم لغة فيريلوج وصف الأجهزة، والتحقق وظيفية أجريت باستخدام ModelSim.

عكس وحدة متعددة؛ الخطأ رمز تصحيح، رمز شريان الحياة، كود OS-MLD

TN431.2

كود الوثيقة: A

10.16157 / j.issn.0258-7998.2016.10.010

شكل الاقتباس الصيني: دونغ ليانغ. كشف تصحيح الخطأ رمز الخطأ التصميم اشعاعيا شريان الحياة المستندة إلى التكنولوجيا الالكترونية، 2016،42 (10): 44-46.

الإنجليزية شكل الاقتباس: دونغ ليانغ، تصميم الإشعاع تصلب اكتشاف الخطأ وتصحيح الدائرة تقوم على قواعد عملية شريان الحياة .Application من تقنيات الالكترونية، 2016،42 (10): 44-46.

0 مقدمة

مع التقدم في الدوائر المتكاملة، الذاكرة الضعيفة على نحو متزايد للإشعاع من الأرض ومن بيئة الفضاء الناجمة عن تأثير الجسيمات متعددة وحدة الوجه (خلية متعددة التكدر، MCUs). MCUs قد يؤدي إلى الذاكرة خطأ لتخزين البيانات فشل النظام الذي تسببت فيه. وهكذا، فإن الحاجة إلى الإشعاع تصلب الذاكرة تصميم .

حاليا، (ن، ك) رمز تصحيح الخطأ (رموز تصحيح الخطأ، ECCS) وتستخدم عادة في تكنولوجيا الذاكرة المتسامحة، حيث n هو رمز طول، ك هو عدد البتات من المعلومات. ECC التكنولوجيا التعزيز هو زيادة بت زائدة خطأ مفاجأة لكشف وتصحيح الذاكرة تحدث على أساس كلمة الذاكرة. وهكذا، ECC أنظمة المتسامحة تتطلب إضافية الترميز وفك الدوائر، وتعقيد ترميز وفك الدائرة والذي بدوره يحدد قدرتها على تصحيح تعقيد والأجهزة .

المبالغة (من المبالغة) رمز رمز ECC هو الأكثر شيوعا، قد يكون القليل جدا من الأجهزة فوق لأخطاء الذاكرة الصحيحة. ومع ذلك، فإنه يمكن تصحيحها فقط خطأ واحد من اثنين من الأخطاء ليتم الكشف. مع عملية تخفيض احتمال حجم الجهاز، عدد وافر من الذاكرة خطأ يحدث ارتفاع متزايد. وهكذا، رمز المبالغة ليست مناسبة للذاكرة اشعاعيا محمي، والحاجة إلى إيجاد قدرة تصحيح أعلى لاستخدام دوائر إضافية وتأثير الذاكرة على أداء شفرة أخرى أقل ECC لذكرى والحماية من الإشعاع .

في هذا التصميم، تم استخدام الرعاية لتصميم الذاكرة القائمة على الساحات متعامد ساحة اللاتينية متعامد اللاتينية (في عملية شريان الحياة) رمز الإشعاع. سبب استخدام شريان الحياة متاحة أنه يمكن ترجمتها ينتمي كود منطق الأغلبية خطوة (OS-MLD) باستخدام منطق الأغلبية البسيطة فك الدوائر لتصحيح عدد من MCUs.

1 المربعات متعامد اللاتينية (في عملية شريان الحياة) رمز

وسائل متعامد حزب اللاتينية عندما اثنين من المربعات اللاتينية في نفس العدد الموقع على ترتيب تكوينها، وإذا كان عدد من أزواج أمر من اثنين مختلفة فقط وقال لبعضهم البعض هذين المربعات اللاتينية المتعامدة المربعات اللاتينية. وعلى هذا الرمز شريان الحياة أساس على التكوين: لقدرة التصحيح هو رمز ر شريان الحياة، والتي تعادل الاختيار مصفوفة H يظهر في الصيغة التالية:

ويمكن وفقا لهذه المعادلات يمكن الحصول عليها مع المعلومات المذكورة أعلاه بت M2، 2tm التكافؤ قليلا القدرة تصحيح لتكوين محددة وعملية شريان الحياة كود التكافؤ الاختيار مصفوفة H ر. هي التي شيدت المعلمات تصميم عملية شريان الحياة: المعلومات بت ك = 72 = 49، من اجل م = 4، ر = 2 والقدرة تصحيح بت زائدة 2tm = 28. وهكذا، رمز التكوين شريان الحياة هو (77،49) رمز لذلك. مثل هذا التكوين من اثنين اختيار كود مربع شريان الحياة اللاتينية التالية:

وبعد ذلك، وفقا للمعادلة (1) إلى (7)، لتصميم شيك التكافؤ مصفوفة H (77،49) رمز عملية شريان الحياة، كما هو مبين في الشكل.

باستخدام (77،49) OLS خطأ نظام متسامح البناء الكود الظاهر في الشكل 2. بعد بت من المعلومات المشفرة بواسطة رموز شريان الحياة التشفير المخزنة في الذاكرة، تلا في ذلك الوقت، إذا كان كلمة السر خطأ المخزنة، من خلال فك كود شريان الحياة يمكن تصحيح هذه الأخطاء، وبالتالي ضمان الذاكرة دقة البيانات.

تصميم ويمكن الحصول على (77،49) عملية شريان الحياة التشفير رمز من ناقلات المدخلات مع مولد مصفوفة ناقلات الضرب القيام بها، كما هو مبين في الشكل (3)، لذلك لا يمكن إلا أن عملية XOR بسيطة. بسبب منطق الأغلبية رموز حالة عملية شريان الحياة خطوتها فك عندما اقتنعت أي تصحيح الخطأ، وبالتالي فإن طريقة فك التي تعد واحدة منطق الأغلبية خطوة طريقة فك. (77،49) OLS كود فك هو مبين في الشكل 4، وهناك أعداد XOR بوابات كبيرة والبوابات المنطقية تهيئتها لأداء فك الموازي. غالبية منطق البوابة من قبل منظمة العفو الدولية خمسة متعامد غالبية الاختباري التصويت : إذا كانت الغالبية العظمى من انتاج متعامد الاختباري منظمة العفو الدولية 1، وإلا، 0 هو الإخراج.

2 التحقق الوظيفي وتحليل النتائج

التكوين تصميم رمز تنفذها وصف الأجهزة لغة أداة التحقق وظيفية عملية شريان الحياة فيريلوج يستخدم مينتور ModelSim محاكاة المتقدمة. أولا، تفترض أن اثنين من 49 إلى 063b7697f8f82 و11eef0f387f7d البيانات المخزنة في الذاكرة، وعند الانتهاء من عملية الترميز، وأعطيت 063b7697f8f8266c242111eef0f387f7d79c526c هذه اثنين من كلمات مشفرة هو مبين في الشكل 5 (أ)، و كلمات الذاكرة موجودة، ثم خطأ الحقن، ويفترض حدث خطأ في كلمة المخزنة، على التوالي، أي يصبح 063b3697f8f8266c242111eef0f307f7d79c526c واثنين من كلمات مشفرة، وحدة فك الترميز من خلال عملية شريان الحياة، ويمكن الحصول على وقيمة الانتاج الصحيحة 063b7697f8f8211eef0f387f7d، FIG 5 (ب) أدناه؛ وأخيرا، يفترض أن كلمة المخزنة في كل من الأخطاء جهازي تحدث، أي يغير 1e3b7697f8f8266c242113eed0f387f7d79c526c واثنين من كلمات مشفرة، بعد بعد فك التشفير، فمن الممكن الحصول على الرمز الصحيح، FIG 5 (ج) FIG. وأشارت هذه النتائج إلى أن التكوين المحاكاة (77، 49) خطأ شريان الحياة ظيفة تصحيح الصحيح، ويمكن تطبيق تعزيز الحماية المضادة للإشعاع للذاكرة.

3 الخاتمة

تطبق على الذاكرة في ظل بيئة الإشعاع هو مطلوب لتحسين الموثوقية اشعاعيا لها. هذا التصميم يستخدم متعامد ساحة اللاتينية ذاكرة رمز التعزيز، مما يجعل من الممكن لتصحيح الذاكرة متعددة بت MCUs. منذ الرموز هي التي شيدت الساحة اللاتينية متعامد وفقا لساحة متعامد اللاتينية، لذلك هو القدرة على تصحيح قابل للتعديل (يمكن أن تتحقق الزيادة في إضافة عدد وافر من توليد متعامد ساحة اللاتينية القدرة على تصحيح المصفوفة)، هذا المجمع التطبيقات في البيئة مهمة جدا. هذا التصميم يستخدم بسيط خاص أو دائرة التشفير تصميم (77،49) OLS الرمز، والاستخدام الصحيح للمنطق الأغلبية فك خطوة ليكون فك الشفرة. وقد اظهرت النتائج أن هيكل عملية شريان الحياة حقن رمز خطأ ترميز وفك، التي يمكن العثور عليها لتصحيح الأخطاء من عدد وافر من الذاكرة للتحقق من صحة تصميم نظام المتسامحة.

مراجع

دانييلي Radaelli، هيلموت Puchner، اقفز وونغ، وآخرون al.Investigation من اضطرابات متعددة بت في 150 نانومتر تكنولوجيا SRAM device.IEEE Trans.Nucl.Sci، Dec.2005،52 (6) :. 2433-2437.

YI وي شين شو، نيه هونغشان من الإشعاع تصلب NAND فلاش طريقة الذاكرة المعالج، 2011،32 (6): 8-11.

دونغ ون جيه، منغ جينغ لين جين يونغ، وما إلى ذلك بناء نظام تصميم نظام إدارة المعرفة اشعاعيا السيطرة . الإدارة مجال الفضاء، 2015 (5): 42-43.

الازدهار الأصفر، البني المحمر. المحمول في الفضاء TT & C تصلب الإشعاع الارسال والموثوقية منصة القياس عن بعد للتحكم عن بعد، 2015،36 (5): 68-74.

تصميم XUXIN طويل وتنفيذ إشعاع نظام اختبار SRAM . IC الصين، 2016،25 (3): 52-55.

تصميم وتنفيذ يا جينغ يوان، لاي شياو لينغ تشو وآخرون. المحمول في الفضاء الرقمي تصلب الإشعاع أسيك مساحة للإلكترونيات، 2015 (6): 41-44.

بيدرو Reviriego، مارك فلاناغان، خوان أنطونيو Maestro.A (64،45) خطأ ثلاثيا رمز تصحيح للذاكرة applications.IEEE Trans.Device Mater.Rel، Mar.2012،12 (1) :. 101-106.

هسياو M Y، BOSSEN D C، CHIEN R T.Orthogonal رموز مربع لاتيني، IBM J.Res.Develop، 1970،14 (4) :. 390-394.

يانغ يانغ ليو شيانغ لو. وبناء على تسلسل متعامد ثنائي الأبعاد وOOCs مربع اللاتينية ضوء المتعامدة MOLS كود / العمانية جامعة تشجيانغ عادي (العلوم الطبيعية)، 2014،37 (4): 437-445.

كلمات ليلى على كل تشانغ يى لى شياو 0.32 32 بت ثلاثة ميناء ملف السجل التسليح التصميم الالكترونيات الدقيقة وعلوم الحاسوب، 2012،29 (12): 27-30،35.

LIN S، D COSTELLO J.Error تحكم الترميز، 2 ed.Englewood المنحدرات، NJ، USA: برنتيس هول، 2004.

شيه فو ليو، بيدرو Reviriego، خوان أنطونيو Maestro.Efficient منطق الأغلبية الكشف عن خطأ مع رموز تحديد الفرق للذاكرة applications.IEEE Trans.Very على نطاق واسع Integr (VLSI) SYST، 2012،20 (1) ..: 148-156.